| 发明名称 | 金属硅化物层及半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种金属硅化物层的制造方法，包括：将半导体结构置于沉积工艺腔中，向所述工艺腔中供给惰性气体，并调节所述工艺腔的压力至T<sub>1</sub>托；升高所述工艺腔的温度至目标温度；降低所述工艺腔的压力至T<sub>2</sub>托；向所述工艺腔中通入反应气体，通过沉积工艺形成金属硅化物；其中，所述T<sub>1</sub>为T<sub>2</sub>的2至10倍。本发明还提供一种半导体器件的制造方法。本发明能够节约制造工艺的时间，提高产量。 | ||
| 申请公布号 | CN101459075A | 申请公布日期 | 2009.06.17 |
| 申请号 | CN200710094566.5 | 申请日期 | 2007.12.13 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 杨瑞鹏;胡宇慧;聂佳相 |
| 分类号 | H01L21/3205(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;C23C16/42(2006.01)I;C23C16/52(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3205(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李 丽 |
| 主权项 | 1、一种金属硅化物层的制造方法，其特征在于，包括：将半导体结构置于沉积工艺腔中，向所述工艺腔中供给惰性气体，并调节所述工艺腔的压力至T1托；升高所述工艺腔的温度至目标温度；降低所述工艺腔的压力至T2托；向所述工艺腔中通入反应气体，通过沉积工艺形成金属硅化物；其中，所述T1为T2的2至10倍。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||