一种晶体生长的坩埚盖

摘要

本实用新型涉及的是晶体生长的坩埚盖，由圆形钼板压制而成的帽子状盖体，所述盖体分为两层，包括顶层、底层以及圆筒状的过渡段，在顶层的中间开有一通孔。本结构采用单层圆形钼板压制而成，均衡冷坩埚内的保温性；钼板具有韧性强、成本低、热传导性能好等特点，有效保证晶体生长的高温环境；同时，单层钼板结构，还能使冷坩埚内晶体生长热辐射时产生纵向与横向的温度梯度差，以更准确的把握晶体在控径时的精确度，从而解决了晶体生长过程中温度偏差过大而产生的长角问题。本结构采用由钼板制成帽子状的双层结构，顶层与底层的间距确保晶体生长引晶及放肩过程有足够的提拉空间，确保了晶体生长放肩角度而保证晶体生长的品质。

主权项

一种晶体生长的坩埚盖，其特征在于，由圆形钼板压制而成的帽子状盖体，所述盖体分为两层，包括顶层、底层以及圆筒状的过渡段，在顶层的中间开有一通孔。