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Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Transistors bereitgestellt. Das Verfahren weist ein Anordnen eines Stapels auf einem Halbleitersubstrat auf, wobei der Stapel eine Opferschicht und eine Isolatorschicht aufweist. Die Isolatorschicht wird wenigstens teilweise zwischen dem Halbleitersubstrat und der Opferschicht angeordnet. Eine Aussparung wird innerhalb des Stapels gebildet, wobei sich die Aussparung so durch den Stapel zum Halbleitersubstrat erstreckt, dass sich die Aussparung wenigstens teilweise mit einer Oberfläche der Kollektorregion des Halbleitersubstrats überlappt. Die Kollektorregion erstreckt sich von einer Hauptfläche des Halbleitersubstrats in das Substratmaterial. Das Verfahren weist ferner ein Erzeugen einer Basisstruktur an der Kollektorregion und in der Aussparung auf. Die Basisstruktur kontaktiert die Kollektorregion innerhalb der Aussparung der Opferschicht und deckt dieselbe ab. Das Verfahren weist ferner ein Erzeugen einer Emitterstruktur an der Basisstruktur auf, wobei die Emitterstruktur die Basisstruktur innerhalb der Aussparung der Opferschicht kontaktiert und wenigstens teilweise abdeckt. Das Verfahren weist ferner ein wenigstens teilweises Entfernen der Opferschicht, derart, dass eine Seitenflächenregion der Basisstruktur freigelegt wird, und derartiges Erzeugen einer dotierten Elektrodenschicht durch epitaxiales Aufwachsen eines Halbleitermaterials zur freigelegten Seitenflächenregion der Basisstruktur auf, dass die dotierte Elektrodenschicht die Seitenflächenregion der Basisstruktur verbindet. |
