反射式液晶显示器及周边电路的制造方法

摘要

一种低温多晶硅液晶显示器，包含P型薄膜电晶体TFT(不含浅掺杂汲极LDD)，及包含LDD的n型TFT的驱动电路及画素TFT与储存电容及画素电容底部电极的制造方法。制程步骤包含先定义源极/汲极，之后形成活性层及闸极氧化层并定义之，随后，在电晶体闸极金属沉积前，先形成感光树脂层，再图案化，以形成凸块雏型，经回流平滑化，再将闸极金属层与凸块上反射金属层同时进行沉积及图案化。接着，进行LDD布植。随后以定义P型TFT的光阻图案为罩幕，施以源/汲极离子布植，以形成P型TFT的源极、汲极。最后，去光阻后，再形成护层及接触洞。制程中只约需用六道光罩数即可制造反射式液晶显示器TFT及其驱动电路。

主权项

1、一种制造反射式液晶显示器的方法，其特征在于至少包含以下步骤：形成一金属层于一基板之上；形成一第一导电型硅层于该金属层之上；图案化该金属层与该第一导电型硅层，以在驱动电路区内形成一第一导电型TFT的源极/汲极预定区、一第二导电型TFT的源极预定区以及在画素区内形成一画素TFT的源极/汲极预定区，及储存电容预定区；形成一活性层于经图案化后的表面之上；形成一闸极氧化层于该活性层之上；图案化该闸极氧化层与该活性层，以形成一第一保留区、一第二保留区、以及一第三保留区，其中该第一保留区是位于该第一导电型TFT的源极/汲极区之间并部分覆盖该第一导电型TFT的源极/汲极区，该第二保留区是位于该第一导电型TFT的汲极与该第二导电型TFT的源极之间并部分覆盖该第一导电型TFT的汲极与该第二导电型TFT的源极，该第三保留区是位于该画素TFT的源极/汲极区之间并部分覆盖该画素TFT的源极/汲极区；形成一绝缘层于上述图案化后的表面；图案化该绝缘层，以在该画素区之上形成复数个凸块；形成一闸极金属层于上述图案化后的表面上；图案化该闸极金属层，以形成参考电位连接电极、该第一导电型TFT的闸极、该第二导电型TFT的闸极、该储存电容的顶部电极，并在该画素区的凸块上形成一反射金属层，该反射金属层并连接该画素TFT汲极及该储存电容的顶部电极；施以轻渗杂汲极(LDD)布植，植入该第一导电型杂质，以经图案化后的该闸极金属层为罩幕，用以在该第一导电型TFT的闸极两侧形成LDD区，在该画素TFT的闸极两侧也形成LDD区；形成一光阻图案层于除该第二保留区之外的所有区域之上；植入一第二导电型杂质，以该光阻图案层及该第二导电型TFT的闸极为罩幕，以形成该第二导电型TFT的源极/汲极区；移除该光阻图案层；形成一保护层于该裸露的表面上；以及图案化该保护层，用以移除该画素区反射金属层上的保护层以裸露出该反射金属层并于该驱动电路区及画素区末端形成接触洞。