| 主权项 |
一种负载驱动电路，其特征在于其系包含串联连接于第1固定电压与第2固定电压间之双极性电晶体即高侧电晶体及低侧电晶体，将对应于2个电晶体之导通断开状态之驱动电流供应至连接于2个电晶体之连接点即输出端子之负载者；且包含：电流源，其系控制供应至前述高侧电晶体及前述低侧电晶体之基极电流；及保护电路，其系比较前述输出端子之输出电压与特定临限值电压，于满足特定条件时，降低前述高侧电晶体或前述低侧电晶体之至少一方之基极电流；前述保护电路系根据在设置于与流至上述高侧电晶体之电流成比例之电流的经路上之电阻产生之电压下降，来监视上述高侧电晶体之导通、断开状态，而于上述高侧电晶体为导通之状态下，前述输出电压低于特定之下限临限值电压时，降低前述高侧电晶体之基极电流；前述保护电路包含：第3电晶体，其一端与上述高侧电晶体之一端及上述输出端子连接，其基极与上述高侧电晶体之基极连接；及第1电阻，其一端之电位被固定，其另一端与上述第3电晶体之另一端连接；且根据上述第1电阻与上述第3电晶体之连接点的电位，降低上述高侧电晶体之基极电流；前述保护电路进一步包含：异常检测比较器，其系将上述输出电压与上述下限临限值电压比较，于上述输出电压低于上述下限临限值电压时，产生成为特定位准之异常检测信号；及第5电晶体，其系与上述第1电阻并联设置，其基极被输入上述异常检测信号，于上述异常检测信号为上述特定位准时断开，于上述异常检测信号为与上述特定位准不同之位准时导通；上述电流源于上述第1电阻与上述第3电晶体之连接点之电位为低位准时，降低上述基极电流。如请求项1之负载驱动电路，其中前述电流源包含：PNP型之第6电晶体，其集极与上述高侧电晶体之基极连接；驱动基准电流源，其设置于上述第6电晶体之基极与接地端子之间，产生驱动基准电流；及补正电流源，其设置于上述第6电晶体之基极与射极之间，于应降低上述基极电流时，产生补正电流。如请求项2之负载驱动电路，其中前述补正电流源包含：第7电晶体，其射极与上述第6电晶体之射极连接，其集极与上述第6电晶体之基极连接，于其基极输入有应降低上述基极电流时成为低位准之异常检测信号；于前述第7电晶体之基极，输入前述第1电阻与前述第3电晶体之连接点之信号。如请求项3之负载驱动电路，其中于前述第7电晶体之基极，经由电阻而输入前述第1电阻与前述第3电晶体之连接点之信号。如请求项1之负载驱动电路，其中前述第3电晶体系与上述高侧电晶体为同型。一种负载驱动电路，其特征在于其系包含串联连接于第1固定电压与第2固定电压间之双极性电晶体即高侧电晶体及低侧电晶体，将对应于2个电晶体之导通断开状态之驱动电流供应至连接于2个电晶体之连接点即输出端子之负载者；且包含：电流源，其系控制供应至前述高侧电晶体及前述低侧电晶体之基极电流；及保护电路，其系比较前述输出端子之输出电压与特定临限值电压，于满足特定条件时，降低前述高侧电晶体或前述低侧电晶体之至少一方之基极电流；其中前述保护电路系根据在设置于与流至上述低侧电晶体之电流成比例之电流的经路上之电阻产生之电压下降，来监视上述低侧电晶体之导通、断开状态，而于上述低侧电晶体为导通之状态下，前述输出电压高于特定之上限临限值电压时，降低前述低侧电晶体之基极电流；前述保护电路包含：第3电晶体，其一端与上述低侧电晶体之一端及上述输出端子连接，其基极与上述低侧电晶体之基极连接；及第1电阻，其一端之电位被固定，其另一端与上述第3电晶体之另一端连接；且根据上述第1电阻与上述第3电晶体之连接点的电位，降低上述低侧电晶体之基极电流；前述保护电路进而包含：异常检测比较器，其系将上述输出电压与上述上限临限值电压比较，于上述输出电压高于上述上限临限值电压时，产生成为特定位准之异常检测信号；及第5电晶体，其系与上述第1电阻并联设置，其基极被输入上述异常检测信号，于上述异常检测信号为上述特定位准时断开，于上述异常检测信号为与上述特定位准不同之位准时导通；上述电流源于上述第1电阻与上述第3电晶体之连接点之电位为高位准时，降低上述基极电流。如请求项6之负载驱动电路，其中前述电流源包含：PNP型之第6电晶体，其集极与上述低侧电晶体之基极连接；驱动基准电流源，其设置于上述第6电晶体之基极与接地端子之间，产生驱动基准电流；及补正电流源，其设置于上述第6电晶体之基极与射极之间，于应降低上述基极电流时，产生补正电流。如请求项7之负载驱动电路，其中前述补正电流源包含：第7电晶体，其射极与上述第6电晶体之射极连接，其集极与上述第6电晶体之基极连接，于其基极输入有应降低上述基极电流时成为低位准之异常检测信号；于前述第7电晶体之基极，输入前述第1电阻与前述第3电晶体之连接点之信号。如请求项8之负载驱动电路，其中于前述第7电晶体之基极，经由电阻而输入前述第1电阻与前述第3电晶体之连接点之信号。如请求项6之负载驱动电路，其中前述第3电晶体系与上述低侧电晶体为同型。 |
