| 发明名称 | 穿过晶片的互连 | ||
| 摘要 | 公开了穿过晶片的互连及其制造方法。该方法以导电晶片(300)开始以通过去除该导电晶片的材料来形成图案化沟槽。图案化沟槽在深度上从晶片的正面延伸到背面，并具有将导电晶片大致分成内部和外部的环形开口，由此导电晶片的内部与外部绝缘并用作穿过晶片的导体(310)。形成介电材料(320)或将其添加到图案化沟槽以机械上支承并电绝缘穿过晶片的导体。可将多个导体形成一阵列。 | ||
| 申请公布号 | CN101223633A | 申请公布日期 | 2008.07.16 |
| 申请号 | CN200680025783.2 | 申请日期 | 2006.05.18 |
| 申请人 | 科隆科技公司 | 发明人 | 黄勇力 |
| 分类号 | H01L21/44(2006.01);H01L29/43(2006.01) | 主分类号 | H01L21/44(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 陈炜 |
| 主权项 | 1.一种用于制造微电子结构中的穿过晶片的互连的方法，所述方法包括以下步骤：提供具有正面和背面的导电晶片；通过去除所述导电晶片的材料来在所述导电晶片中形成图案化沟槽，其中所述图案化沟槽具有环形圆周开口，所述开口将所述导电晶片沿所述开口大致分成内部和外部，由此所述导电晶片的内部与所述外部绝缘并用作穿过晶片的导体；以及向所述图案化沟槽添加填充材料。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||