| 发明名称 | 半导体器件及该半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的课题是提供一种具有元件分离区域的半导体器件，该元件分离区域用于控制P型MOS晶体管或N型MOS晶体管的有源区域的变形，使其成为规定状态。本发明的半导体器件的特征在于，具有形成有MOS晶体管的有源区域、以包围有源区域周围的方式形成的槽，而且，使有源区域产生拉伸变形的第一材料以及产生压缩变形的第二材料的组合被填埋在所述槽内，从而能够解决上述问题。 | ||
| 申请公布号 | CN101341591A | 申请公布日期 | 2009.01.07 |
| 申请号 | CN200580052349.9 | 申请日期 | 2005.12.19 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 铃木贵志;小泽清 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01);H01L21/76(2006.01);H01L27/08(2006.01);H01L27/092(2006.01);H01L29/78(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 张龙哺 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，其特征在于，具有半导体衬底、形成在所述半导体衬底的有源区域、以包围所述有源区域的周围的方式形成的槽，而且，在所述槽内填埋有第一材料及第二材料的组合，其中，所述第一材料使所述有源区域产生拉伸变形，所述第二材料使所述有源区域产生压缩变形。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||