发明名称 |
基板处理装置以及基板处理方法 |
摘要 |
本发明提供基板处理装置以及基板处理方法。基板处理装置包括:旋转台,其以能够旋转的方式设置于真空容器内,能够载置基板;第1反应气体供给部,其能够向旋转台的表面供给第1反应气体;第2反应气体供给部,其沿着旋转台的周向与第1反应气体供给部分开地设置,能够向旋转台的表面供给与第1反应气体发生反应的第2反应气体;活化气体供给部,其沿着旋转台的周向与第1反应气体供给部以及第2反应气体供给部分开地设置,能够向旋转台的表面供给被活化了的蚀刻气体;多个吹扫气体供给部,其沿着旋转台的周向与活化气体供给部接近地设置,能够向旋转台的表面供给吹扫气体,能够对从多个吹扫气体供给部分别供给的吹扫气体的流量独立地进行控制。 |
申请公布号 |
CN105938796A |
申请公布日期 |
2016.09.14 |
申请号 |
CN201610122028.1 |
申请日期 |
2016.03.03 |
申请人 |
东京毅力科创株式会社 |
发明人 |
三浦繁博 |
分类号 |
H01L21/31(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/31(2006.01)I |
代理机构 |
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 |
代理人 |
刘新宇;张会华 |
主权项 |
一种基板处理装置,其中,该基板处理装置包括:旋转台,其以能够旋转的方式设置于真空容器内,能够载置基板;第1反应气体供给部,其能够向所述旋转台的表面供给第1反应气体;第2反应气体供给部,其沿着所述旋转台的周向与所述第1反应气体供给部分开地设置,能够向所述旋转台的表面供给与所述第1反应气体发生反应的第2反应气体;活化气体供给部,其沿着所述旋转台的周向与所述第1反应气体供给部以及所述第2反应气体供给部分开地设置,包括喷出部,该喷出部形成有能够向所述旋转台的表面供给被活化了的蚀刻气体的喷出孔;多个吹扫气体供给部,其沿着所述旋转台的周向与所述喷出孔接近地设置,能够向所述旋转台的表面供给吹扫气体,该基板处理装置能够对从所述多个吹扫气体供给部分别供给的所述吹扫气体的流量独立地进行控制。 |
地址 |
日本东京都 |