| 摘要 |
Offenbart wird ein Verfahren zum Bearbeiten eines Einzelkristallsubstrats, um das Einzelkristallsubstrat entlang einer Vielzahl von vorgegebenen Aufteilungslinien zu unterteilen, umfassend einen Schildtunnelausbildungsschritt zum Applizieren eines gepulsten Laserstrahls mit einer Wellenlänge, welche durch das Einzelkristallsubtrat hindurchgeht, auf das Einzelkristallsubstrat entlang der Aufteilungslinien, um Schildtunnel in dem Einzelkristallsubstrat entlang der Aufteilungslinien auszubilden, wobei jeder ein feines Loch und einen amorphen Bereich, der das feine Loch abschirmt, aufweist, einen Schutzelementanhaftschritt zum Anhaften eines Schutzelements an das Einzelkristallsubstrat vor oder nach dem Schildtunnelausbildungsschritt, und einen Schleifschritt zum Halten des Schutzelements auf dem Einzelkristallsubstrat, an welchem der Schildtunnelausbildungsschritt und der Schutzelementanhaftschritt ausgeführt wurden, auf einem Spanntisch einer Schleifvorrichtung, zum Schleifen einer Rückseite des Einzelkristallsubstrats, um das Einzelkristallsubstrat auf eine vorbestimmte Dicke zu bringen, und zum Aufteilen des Einzelkristallsubstrats entlang der Aufteilungslinien, entlang welcher die Schildtunnel ausgebildet wurden. |
