Verfahren zum Dotieren eines aktiven Hall-Effekt-Gebiets einer Hall-Effekt-Vorrichtung und Hall-Effekt-Vorrichtung mit einem dotierten aktiven Hall-Effekt-Gebiet

摘要

Verfahren zum Dotieren eines aktiven Hall-Effekt-Gebiets einer Hall-Effekt-Vorrichtung in einem Halbleitersubstrat umfasst das Ausbilden eines ersten Dotierungsprofils eines ersten Dotierungstyps in einem ersten Tiefengebiet des aktiven Hall-Effekt-Gebiets mittels einer ersten Implantation mit einem ersten Implantationsenergieniveau, das Ausbilden eines zweiten Dotierungsprofils des ersten Dotierungstyps in einem zweiten Tiefengebiet des aktiven Gebiets mittels einer zweiten Implantation mit einem zweiten Implantationsenergieniveau, und das Ausbilden eines Gesamt-Dotierungsprofils des aktiven Hall-Effekt-Gebiets durch Tempern des Halbleitersubstrats mit dem aktiven Hall-Effekt-Gebiet, welches das erste und das zweite Dotierungsprofil aufweist.