| 摘要 |
1. Подложка для исследований методом усиленного поверхностью комбинационного рассеяния, включающая полупроводниковую поверхность, содержащую нитевидные кристаллы, покрытую металлом, выбранным из группы, состоящей из серебра, золота, платины, меди и/или их сплавов, отличающаяся тем, что полупроводник является содержащим галлий нитридом, а каждый нитевидный кристалл имеет внутри линейный дефект. ! 2. Подложка по п.1, отличающаяся тем, что нитевидные кристаллы соединены друг с другом своими удаленными от полупроводниковой поверхности концами, образуя конические пучки. ! 3. Подложка по п.1 или 2, отличающаяся тем, что линейный дефект представляет собой дислокацию или инверсионную область. ! 4. Подложка по п.1 или 2, отличающаяся тем, что толщина металлической пленки на полупроводниковой поверхности составляет от 50 нм до 150 нм, предпочтительно от 70 нм до 80 нм. ! 5. Подложка по п.1 или 2, отличающаяся тем, что длина нитевидных кристаллов составляет от 0,2 мкм до 2,0 мкм, предпочтительно от 0,5 мкм до 1,5 мкм. ! 6. Подложка по п.1 или 2, отличающаяся тем, что диаметр нитевидных кристаллов составляет от 40 нм до 150 нм, предпочтительно от 50 нм до 70 нм. ! 7. Подложка по п.1 или 2, отличающаяся тем, что отношение длины нитевидных кристаллов к их диаметру составляет от 5 до 50, предпочтительно от 10 до 30. ! 8. Подложка по п.1 или 2, отличающаяся тем, что плотность поверхности нитевидных кристаллов составляет от 108/см2 до 1010/см2. ! 9. Подложка по п.1 или 2, отличающаяся тем, что металл представляет собой золото. ! 10. Подложка по п.1 или 2, отличающаяся тем, что содержащий галлий нитрид представляет собой нитрид галлия GaN. ! 11. Подложка по п.1 или 2, отличающаяся тем, что пов |
