发明名称 |
R-T-B类烧结磁体的制造方法 |
摘要 |
一种R-T-B类烧结磁体的制造方法,其包括:准备R-T-B类烧结磁石体(1)的工序;准备含有重稀土元素RH(包含Dy和Tb中的至少一种)并含有30质量%以上且80质量%以下的Fe的RH扩散源的工序;将烧结磁石体(1)和RH扩散源(2)以能够相对移动且能够接近或接触的方式装入处理室(3)内的工序;和一边使烧结磁石体(1)和RH扩散源(2)在处理室(3)内连续地或断续地移动,一边将其加热到超过850℃且1000℃以下的温度的RH扩散工序。 |
申请公布号 |
CN103003898B |
申请公布日期 |
2016.07.27 |
申请号 |
CN201180033841.7 |
申请日期 |
2011.07.12 |
申请人 |
日立金属株式会社 |
发明人 |
国吉太 |
分类号 |
H01F41/02(2006.01)I;B22F3/24(2006.01)I;C22C28/00(2006.01)I;C22C33/02(2006.01)I;C22C38/00(2006.01)I;H01F1/053(2006.01)I;H01F1/08(2006.01)I |
主分类号 |
H01F41/02(2006.01)I |
代理机构 |
北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 |
代理人 |
龙淳 |
主权项 |
一种R‑T‑B类烧结磁体的制造方法,其特征在于,包括:准备R‑T‑B类烧结磁石体的工序;准备含有重稀土元素RH并含有30质量%以上且80质量%以下的Fe的RH扩散源的工序,所述重稀土元素RH包含Dy和Tb中的至少一种;将所述烧结磁石体和所述RH扩散源以能够相对移动且能够接近或接触的方式装入处理室内的工序;和一边使所述处理室旋转,使所述烧结磁石体和所述RH扩散源在所述处理室内连续地或断续地移动,所述烧结磁石体与所述RH扩散源接近、离开,使所述烧结磁石体与所述RH扩散源的接触点移动,一边将所述烧结磁石体和所述RH扩散源加热到超过850℃且1000℃以下的处理温度的RH扩散工序,所述RH扩散工序是将搅拌辅助部件装入所述处理室内而进行的,所述搅拌辅助部件包含氧化锆、氮化硅、碳化硅、氮化硼或它们的混合物的陶瓷。 |
地址 |
日本东京都港区港南一丁目2番70号 |