| 发明名称 | 光刻设备和污染物去除或防止方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种光刻设备和污染物去除或防止方法。浸没式光刻设备通过使用清洁液体进行清洁，所述清洁液体主要由超纯净水以及(a)过氧化氢和臭氧的混合物、或(b)浓度高达5％的过氧化氢、或(c)浓度高达50ppm的臭氧、或(d)浓度高达10ppm的氧气、或(e)选自(a)－(d)的任何组合物构成。 | ||
| 申请公布号 | CN101354538A | 申请公布日期 | 2009.01.28 |
| 申请号 | CN200810130025.8 | 申请日期 | 2008.07.24 |
| 申请人 | ASML荷兰有限公司 | 发明人 | A·M·C·P·德琼;H·詹森;M·H·A·里恩德尔斯;A·J·范德奈特;P·F·沃恩腾;J·C·J·范德东克;R·D·沃森;T·C·范登都尔;N·什库;J·W·克龙姆威杰克 |
| 分类号 | G03F7/20(2006.01);B08B3/04(2006.01) | 主分类号 | G03F7/20(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 王波波 |
| 主权项 | 1.一种浸没式光刻设备，包括：浸没系统，所述浸没系统配置用于至少部分地以浸没液填充浸没空隙；清洁液体供给系统，所述清洁液体供给系统配置用于将清洁液体提供到所述浸没空隙；以及清洁液体，所述清洁液体包含在所述浸没空隙中和/或在所述清洁液体供给系统中；其中，所述清洁液体主要由超纯净水以及(a)过氧化氢和臭氧的混合物、或(b)浓度高达10％的过氧化氢、或(c)浓度高达50ppm的臭氧、或(d)浓度高达10ppm的氧气、或(e)选自(a)-(d)的任何组合物构成。 | ||
| 地址 | 荷兰维德霍温 | ||