光电元件及其制造方法

摘要

本发明提供一种光电元件，包含：第一电极、基底形成于第一电极上；缓冲层形成于基底上，其中该缓冲层包含：含第一含氮化合物层形成在基底上、第二含氮化合物层、及五族/二族化合物层形成在第一含氮化合物层及第二含氮化合物层之间；接着，第一半导体导电层形成在缓冲层上；主动层形成在第一半导体导电层上，其中主动层为具有多个不规则且高低起伏形状的多层量子井；第二半导体导电层形成在主动层上；透明导电层形成于第二半导体导电层上；及第二电极形成在透明导电层上。

主权项

1. 一种光电元件的磊晶堆叠结构，包含：基底；缓冲层，包含；第一含氮化合物层，形成于该基底上；及五族/二族化合物层，形成于该第一含氮化合物上；发光元件的磊晶堆叠结构，形成于该缓冲层上，该磊晶堆叠结构包含：第一半导体导电层，形成于该缓冲层上；主动层，形成于该第一半导体导电层上，且多个中介材料微粒散布于该第一半导体导电层与该主动层之间，以使得该主动层具有多个不规则且高低起伏的形状；及第二半导体导电层，形成于该主动层上。