Recessed Channel Array Transistor and Method of forming the same semiconductor

摘要

반도체 소자의 제조에서, 액티브 영역의 기판에 리세스부를 형성한다. 상기 리세스부 내벽 및 기판 상부면에, 플라즈마 산화 공정을 수행하여 예비 게이트 산화막을 형성한다. 상기 예비 게이트 산화막의 표면을 흡습시켜 게이트 산화막을 형성한다. 상기 리세스 내부를 채우면서 상기 게이트 산화막 상에 게이트 전극을 형성한다. 또한, 소오스/드레인을 형성한다. 상기 반도체 소자는 높은 신뢰성을 갖는다.