| 发明名称 | 形成氧化物薄膜的方法及其装置 | ||
| 摘要 | 通过将试样暴露给臭氧气体而在氧化试样(10)表面上形成氧化物薄膜的方法，包括下述步骤：用辐射红外光的光源(23)在放置于基座(21)或者用以加热基座的加热装置上的试样的待氧化区域上局部加热该氧化区域，并且，在100～44,000Pa的指定压力下加热氧化试样的同时，通过供应臭氧气体给氧化试样而将氧化试样暴露给臭氧气体，其中，臭氧气体的流动可以调节以使其在炉(20)中的流动为层流状态，可以安装辐射紫外光的光源，并且辐射紫外光的光源可以安装以辐射基座(20)的上游侧。 | ||
| 申请公布号 | CN100338744C | 申请公布日期 | 2007.09.19 |
| 申请号 | CN02823384.0 | 申请日期 | 2002.10.31 |
| 申请人 | 株式会社明电舍;独立行政法人产业技术综合研究所 | 发明人 | 西口哲也;野中秀彦;一村信吾 |
| 分类号 | H01L21/316(2006.01);H01L21/31(2006.01);C01B13/14(2006.01);C01B33/12(2006.01) | 主分类号 | H01L21/316(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 孙爱 |
| 主权项 | 1.一种将臭氧气体暴露给待氧化的试样从而在试样的表面上形成氧化物薄膜的氧化物薄膜形成方法，其特征在于：在臭氧气体被供入的炉内局部加热试样的待氧化区域的同时，将臭氧气体供应给待氧化的试样；和炉内的压力可以在100～44,000Pa范围内进行调节以控制试样的氧化速度。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||