结晶装置、结晶方法、器件和相位调制元件

摘要

本发明包括：具有第一元件(1)和第二元件(2)的光调制光学系统，所述第一元件对入射光束形成所希望的光强梯度分布，所述第二元件对其形成所希望的具有反向峰值形状的光强最小分布；以及一个图像形成光学系统(4)，该图像形成光学系统设置在光调制光学系统和衬底(5)之间，所述衬底具有多晶半导体膜或非晶半导体膜，其中形成光强梯度分布和光强最小分布的入射光束通过图像形成光学系统施加在多晶半导体膜或非晶半导体膜上，由此使未结晶的半导体膜结晶。所述第一元件的图形与第二元件的图形相对。

主权项

1.一种结晶装置，其特征在于包括：光调制光学系统，具有第一相位调制元件(1)和第二相位调制元件(2)，所述第一相位调制元件对入射光束形成预定的光强梯度分布，所述第二相位调制元件对所述入射光束形成预定的具有反向峰值形状的光强最小分布；以及图像形成光学系统(4)，设置在所述光调制光学系统和衬底(5)之间，所述衬底具有由多晶半导体或非晶半导体形成的膜，其中形成所述光强梯度分布和光强最小分布的入射光束通过所述图像形成光学系统施加到所述膜上，由此使未结晶半导体膜结晶。