| 主权项 |
一种整流器，适于耦接于一交流电源及一外部负载之间，该整流器包含：一第一二极体、一第二二极体、一第三二极体、一第四二极体、一第一切换元件、一第二切换元件、一第三切换元件及一第四切换元件，其中，该些二极体分别用以使一电流从该些二极体的第一端流向该些二极体的第二端，该第一切换元件的第一输出入端及第二输出入端分别耦接于该第一二极体的第一端及第二端，该第一切换元件的控制端耦接于该交流电源的第一端，该第一切换元件的第二输出入端更耦接于该外部负载的第一端，且该第一切换元件的第一输出入端更耦接于该交流电源的第二端，该第二切换元件的第一输出入端及第二输出入端分别耦接于该第二二极体的第一端及第二端，该第二切换元件的控制端耦接于该交流电源的第二端，该第二切换元件的第二输出入端更耦接于该外部负载的第一端，且该第二切换元件的第一输出入端更耦接于该交流电源的第一端，该第三切换元件的第一输出入端及第二输出入端分别耦接于该第三二极体的第一端及第二端，该第三切换元件的控制端耦接于该交流电源的第一端，该第三切换元件的第二输出入端更耦接于该交流电源的第二端，且该第三切换元件的第一输出入端更耦接于该外部负载的第二端，而且该第四切换元件的第一输出入端及第二输出入端分别耦接于该第四二极体的第一端及第二端，该第四切换元件的控制端耦接于该交流电源的第二端，该第四切换元件的第二输出入端更耦接于该交流电源的第一端，且该第四切换元件的第一输出入端更耦接于该外部负载的第二端。如申请专利范围第1项所述之整流器，其中该第一切换元件及该第二切换元件分别为一PMOS(金属氧化物半导体)元件。如申请专利范围第2项所述之整流器，其中该第三切换元件及该第四切换元件分别为一NMOS(金属氧化物半导体)元件。如申请专利范围第1项所述之整流器，更包含：一第一齐纳二极体，分别耦接于该第一切换元件的控制端及第一输出入端之间；一第二齐纳二极体，分别耦接于该第二切换元件的控制端及第一输出入端之间；一第三齐纳二极体，分别耦接于该第三切换元件的控制端及第一输出入端之间；或者一第四齐纳二极体，分别耦接于该第四切换元件的控制端及第一输出入端之间。如申请专利范围第1至4项任一项所述之整流器，其中该第一切换元件的内阻小于该第一二极体的内阻，该第二切换元件的内阻小于该第二二极体的内阻，该第三切换元件的内阻小于该第三二极体的内阻，或者该第四切换元件的内阻小于该第四二极体的内阻。如申请专利范围第1至4项任一项所述之整流器，其中当该交流电源的第一端为正极，而该交流电源的第二端为负极时，该第二切换元件及该第三切换元件被导通。如申请专利范围第6项所述之整流器，其中该第二切换元件被导通时，该电流会从该第二切换元件的第二输出入端流向该第二切换元件的第一输出入端，而且该第三切换元件被导通时，该电流会从该第三切换元件的第二输出入端流向该第三切换元件的第一输出入端。如申请专利范围第6项所述之整流器，其中当该交流电源的第一端为负极，而该交流电源的第二端为正极时，该第一切换元件及该第四切换元件被导通。如申请专利范围第8项所述之整流器，其中该第一切换元件被导通时，该电流会从该第一切换元件的第二输出入端流向该第一切换元件的第一输出入端，而且该第四切换元件被导通时，该电流会从该第四切换元件的第二输出入端流向该第四切换元件的第一输出入端。 |
