发明名称 |
高Q值超宽带可调谐有源电感 |
摘要 |
本发明提供一种高Q值超宽带可调谐有源电感,涉及射频集成电路技术领域,以解决现有有源电感的电感值、Q值均不高,实部损耗比较大的问题。该发明包括电源、输入端与CMOS源随结构,其中,还包括传输线结构、有源反馈偏置、负阻补偿网络,所述传输线结构并联于所述CMOS源随结构的栅极和漏极之间,所述有源反馈偏置中的第二晶体管M2的源级与所述CMOS源随结构中的第一晶体管M1的栅级连接,第三晶体管M3的漏极与所述第一晶体管M1的源级连接,所述负阻补偿网络与所述有源反馈偏置中的第三晶体管M3的漏极连接,并且与所述CMOS源随结构的第一晶体管M1的漏极连接。本发明具有较大的电感值和品质因子Q,并使实部损耗减小。 |
申请公布号 |
CN103546119B |
申请公布日期 |
2016.09.21 |
申请号 |
CN201310503465.4 |
申请日期 |
2013.10.23 |
申请人 |
北京工业大学 |
发明人 |
张万荣;周孟龙;谢红云;金冬月;丁春宝;赵彦晓;陈亮;付强;高栋;鲁东;张卿远;邵翔鹏;霍文娟 |
分类号 |
H03H11/04(2006.01)I |
主分类号 |
H03H11/04(2006.01)I |
代理机构 |
北京汇信合知识产权代理有限公司 11335 |
代理人 |
陈圣清 |
主权项 |
一种高Q值超宽带可调谐有源电感,包括电源、输入端与CMOS源随结构,其特征在于,还包括传输线结构、有源反馈偏置、负阻补偿网络,所述传输线结构并联于所述CMOS源随结构的栅极和漏极之间,所述有源反馈偏置中的第二晶体管M2的源极与所述CMOS源随结构中的第一晶体管M1的栅极连接,第三晶体管M3的漏极与所述第一晶体管M1的源极连接,所述负阻补偿网络与所述有源反馈偏置中的第三晶体管M3的漏极连接,并且与所述CMOS源随结构的第一晶体管M1的漏极连接;所述负阻补偿网络包括第四晶体管M4和第五晶体管M5,所述第四晶体管M4和第五晶体管M5的源极接地;M6、M7管构成电流镜,为负阻补偿网络提供偏置,同时也对CMOS源随结构晶体管M1的源端电位进行调节,实现对跨导的改变,进而实现对有源电感的电感值的调谐。 |
地址 |
100124 北京市朝阳区平乐园100号 |