| 发明名称 | 含硅薄膜的形成方法与减少微粒数目的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种含硅薄膜的形成方法与减少微粒数目的方法。含硅薄膜的形成方法，此方法是将衬底置于反应室，然后于反应室中导入一含硅气体，以进行化学气相沉积工艺，而于衬底上形成含硅薄膜，其中，至少控制反应室上内壁的温度低于50℃。其中该含硅气体包括乙硅烷或丙硅烷。 | ||
| 申请公布号 | CN100567565C | 申请公布日期 | 2009.12.09 |
| 申请号 | CN200610058935.0 | 申请日期 | 2006.03.08 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 刘哲宏;郑博伦;庄慧伶;林俊安 |
| 分类号 | C23C16/448(2006.01)I;C23C16/24(2006.01)I;C23C16/52(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/448(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯 宇 |
| 主权项 | 1.一种含硅薄膜的形成方法，该方法包括：将一衬底置于一反应室中；以及于该反应室中导入一含硅气体，以进行一化学气相沉积工艺，于该衬底上形成该含硅薄膜，其中，至少控制该反应室上内壁的温度低于50℃，其中该含硅气体包括乙硅烷或丙硅烷。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||