| 摘要 |
幾つかのセルにおける「ミュート」チャンネル導通及びチャンネル移動度の負の温度係数を備えて、安全動作領域の拡大のためにセルの温度管理を最適化できるようにする電界効果型（ＭＯＳＦＥＴ、ＩＧＢＴなど）のＳｉＣパワー半導体装置が記載される。ドレイン電流と関連してゼロ温度クロスオーバポイント（ＺＴＣＰ）の位置を制御することは、「活性」及び「不活性」（「ミュート」）チャンネル間の分割によって、且つ関心のある温度範囲用にチャンネルにおけるキャリアの移動度を調整することによって達成される。「熱管理」は、「活性」セル／フィンガを「不活性」セル／フィンガで囲むことによって実現され、ゲートバイアスの局所的な増加によるドレイン／コレクタ電流の「負」帰還は、数ある可能性の中でも、各ソースコンタクト内でｉｎ−ｓｉｔｕ「バラスト」抵抗器を実現することによって達成される。【選択図】図５Ａ |
