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<p>자연 산화막의 형성 및 기판 재료의 절연층으로 침투가 방지되는 전계 효과 트랜지스터 및 그 제조방법이 제공된다. 본 발명에 따른 전계 효과 트랜지스터는: Ge, SiGe, 또는 3-5족 화합물로 형성된 기판(단, x는 0 초과 1 미만); 상기 기판 위에 형성된 AlO층; 상기 AlO층 위에 형성되고, 유전상수가 10 이상인 재료로 형성된 절연층; 및 상기 절연층 위에 형성되는 메탈 게이트를 포함한다. 또한, 절연층은 HfO,ZrO, TiO, 및 TiO중에서 선택된 적어도 하나로 형성되고, AlO층은 3Å내지 10Å의 두께로 형성된다.</p> |
