| 摘要 |
높은 프로그램/소거 사이클 내구성(endurance)을 달성하도록 메모리 어레이를 프로그래밍하기 위한 기법들이 여기에 개시된다. 일부 양상들에서, 선택된 워드 라인들(WL)이 프로그램되고 다른 WL들은 프로그램되지 않은 채로 유지된다. 예로서, 짝수 워드 라인들만이 프로그램되고 홀수 WL들은 프로그램되지 않은 채로 유지된다. 짝수 워드 라인들 전부를 프로그램한 후 데이터 블록이 새 데이터로 프로그램되고, 블록은 소거된다. 그후, 홀수 워드 라인들만이 프로그램된다. 소거에 앞서서 메모리 셀 당 복수의 비트를 저장하는 블록으로 데이터가 전송된다. 일 양상에서, 데이터는, 일부 메모리 셀들이 프로그램되고 다른 메모리 셀들은 프로그램되지 않은채로 남겨지는 체커보드 패턴으로 프로그램된다. 그후, 데이터를 소거한 후, 나머지 셀들은 프로그램되지 않은 상태에서, 전에 프로그램되지 않았던 체커보드 패턴의 부분이 프로그램된다. |
