具有位于滤波器电路电感器之下的无导体区域的RF放大器及其制作方法

摘要

一个放大器包括一个半导体衬底。一个第一导电特征仅仅部分地覆盖底衬底表面以定义一个所述底衬底表面的一个无导体区域。晶体管的一个第一电流传导终端电耦合于所述第一导电特征。第二和第三导电特征或可耦合于底衬底表面的其它区域。一个第一滤波器电路包括一个形成于与所述无导体区域相对的所述顶衬底表面的一个部分上的第一电感器。所述第一滤波器电路或可电耦合于所述晶体管的一个第二传导终端和所述第二导电特征之间。一个第二滤波器电路或可电耦合于所述晶体管的一个控制终端和所述第三导电特征之间。导电引线或可耦合于所述第二和第三导电特征，或所述第二和第三导电特征或可耦合于一个印刷电路板。

主权项

一种放大器，包括：具有顶衬底表面和底衬底表面的半导体衬底；耦合于所述底衬底表面的第一导电特征，其中所述第一导电特征仅仅部分地覆盖所述底衬底表面以定义跨越了所述底衬底表面的第一部分的第一无导体区域；形成于所述顶衬底表面的第一晶体管，其中所述第一晶体管包括第一控制终端、第一电流传导终端、第二电流传导终端，其中所述第一电流传导终端电耦合于所述第一导电特征；以及电耦合于所述第二电流传导终端的第一滤波器电路，其中所述第一滤波器电路包括形成于与所述第一无导体区域相对的所述顶衬底表面的第一部分上的第一电感器。