半导体存储装置

摘要

提供一种半导体存储装置，能够高速并且准确地从存储单元读出数据，即使在提高了电路的集成度的情况下，也能够容易地配置连接在位线端子和接地线端子上的金属线。总共4条的位线扩散布线从两个位线端子(D0，D1)分别连接在各列(4列)的存储单元的各漏极上，并且，来自一个假想接地线端子(VG0)的4条位线扩散布线分别连接在上述4列存储单元的各源极上。把存储体选择晶体管(BT1～BT6)分别一个一个配置在各位线扩散布线(1，2)上。

主权项

1.半导体存储装置，其特征在于包括：包括由MOS晶体管形成的、以行列形式排列的多个存储单元的存储单元阵列；给在列方向上排列的每一个存储单元的一对电极中的一个电极供给用于读出数据的读出放大器电流的多个位线端子；从在列方向上排列的每一个存储单元的另一个电极读出数据的多个接地线端子；与在行方向上排列的每一个存储单元的栅极共同连接的多条字线；与所述各位线端子连接并各自与各存储单元的所述一个电极连接的多条第一副位线；与所述各接地线端子连接并各自与其所述一个电极与所述第一副位线连接的存储单元的所述另一个电极连接的多条第二副位线，所述第二副位线的数目是所述第一副位线的数目的2倍；多个存储体选择晶体管，连接在所述位线端子和所述接地线端子之间，还连接在所述第一副位线和第二副位线之间，被存储体选择信号有选择地导通。