发明名称 Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden von dicken Gallium-Nitrit-Schichten auf einem Saphirsubstrat und zugehörigen Substrathalter
摘要 Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Halterung mindestens eines Substrates (2) in einer Prozesskammer (3) eines Reaktorgehäuses (15) mit einer Angriffzone (4) zum Angriff einer Handhabungseinrichtung und mit einer Auflagezone (5), auf welcher das Substrat (2) zumindest mit seinem Rand (2'') aufliegt. Um die auf dem Substrat abgeschiedene Gallium-Nitrid-Schicht gegenüber dem Substrat anzulösen, wird diese von unten her mit einem Laserstrahl beaufschlagt. Hierzu ist vorgesehen, daß die Auflagezone (5) für die Wellenlänge (1) eines optischen Substratbehandlungsprozesses transparent ist.
申请公布号 DE102004058521(A1) 申请公布日期 2006.06.14
申请号 DE200410058521 申请日期 2004.12.04
申请人 AIXTRON AG 发明人 KAEPPELER, JOHANNES
分类号 C23C16/458;C23C14/50 主分类号 C23C16/458
代理机构 代理人
主权项
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