| 发明名称 | 铁电存储元件及制造具有超薄顶层的层状超晶格材料的方法 | ||
| 摘要 | 本发明是一种制造具有超薄顶层的层状超晶格材料的方法及一种铁电存储元件在集成电路存储元件的制造中，锶铋钽酸盐或锶铋钽铌酸盐薄膜层(50)沉积在衬底(28、49)上面，并在沉积超薄铋钽酸盐层(51)之前对锶铋钽酸盐层(50)进行仔细控制的UV烘烤处理。第二电极(52)形成于超薄铋钽酸盐层(51)的顶部。 | ||
| 申请公布号 | CN100355042C | 申请公布日期 | 2007.12.12 |
| 申请号 | CN02806150.0 | 申请日期 | 2002.03.07 |
| 申请人 | 塞姆特里克斯公司;精工爱普生株式会社 | 发明人 | 柄泽润一;维克伦·荷西 |
| 分类号 | H01L21/316(2006.01);H01L21/02(2006.01);H01L27/115(2006.01) | 主分类号 | H01L21/316(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 张浩 |
| 主权项 | 1、一种制造集成电路(40)的方法，所述方法包括：提供衬底(28、49)和第一前体，该第一前体包含有效量的金属部分，用于通过加热所述第一前体而形成层状超晶格材料薄膜(50)；将所述第一前体涂覆在所述衬底上，以便形成第一涂层；处理所述第一涂层，以便形成所述层状超晶格材料的所述薄膜；以及完成所述集成电路的制造，以便在所述集成电路中包括至少一部分所述层状超晶格材料薄膜；所述方法的特征在于：提供第二前体，该第二前体包含有效量的金属部分，用于通过加热所述第二前体而形成非铁电材料(51)；将所述第二前体涂覆在所述衬底上，以便形成第二涂层；以及所述处理所述第一涂层包括向所述第一涂层施加紫外线辐射；及处理所述第二涂层；从而在所述衬底上形成所述层状超晶格材料的所述薄膜和在所述层状超晶格材料上形成所述非铁电材料超薄膜；所述完成集成电路的制造的处理包括在完成所述集成电路的制造时在所述集成电路的所述层状超晶格材料上包括至少一部分所述非铁电材料超薄膜。 | ||
| 地址 | 美国科罗拉多 | ||