| 发明名称 | 偏振不灵敏半导体光放大器的制作方法 | ||
| 摘要 | 一种偏振不灵敏半导体光放大器的制作方法，其特征在于，包括以下制作步骤：1)在n型磷化铟衬底上一次外延压应变量子阱和张应变的准体材料相混合的有源结构；2)光刻腐蚀出宽为2μm左右的与〔011〕晶向有7度偏移的有源区斜条；3)二次外延p型磷化铟和n型磷化铟作为条型有源区的限流的掩埋区；4)三次外延p型磷化铟包层和高掺杂p型铟镓砷欧姆接触层；5)制作p面和n面电极并在解理成管芯条后，在管芯条的受光和出光面镀抗反膜，完成器件制备。 | ||
| 申请公布号 | CN100354701C | 申请公布日期 | 2007.12.12 |
| 申请号 | CN200310116471.0 | 申请日期 | 2003.11.21 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 王书荣;王圩;刘志宏;张瑞英;朱洪亮;王鲁蜂 |
| 分类号 | G02F1/015(2006.01);G02F1/39(2006.01) | 主分类号 | G02F1/015(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 1.一种偏振不灵敏半导体光放大器的制作方法，其特征在于，包括以下制作步骤：1)在n型磷化铟衬底上一次外延压应变量子阱和张应变的准体材料相混合的有源结构；2)光刻腐蚀出宽为2μm左右的与〔011〕晶向有7度偏移的有源区斜条；3)二次外延p型磷化铟和n型磷化铟作为条型有源区的限流的掩埋区；4)三次外延p型磷化铟包层和高掺杂p型铟镓砷欧姆接触层；5)制作p面和n面电极并在解理成管芯条后，在管芯条的受光和出光面镀抗反膜，完成器件制备。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路甲35号 | ||