改性红外探测材料－非晶SiGe薄膜的制备方法

摘要

改性红外探测材料—非晶SiGe薄膜的制备方法。本发明属于红外热探测材料的制备方法，特别是对非晶SiGe合金薄膜优化、改性的方法。本发明包含以下两个重要步骤，即首先在超高真空状态下采用电子束蒸发镀膜方法制备α-SiGe薄膜，然后利用离子注入方法对α-SiGe薄膜进行改性。本方法可获得具有高电阻温度系数(TCR)的α-SiGe薄膜红外热探测材料，提高生产效率，降低了生产成本，可解决常规技术生长非晶GeSi薄膜时由于光放电，等离子体对已沉积的薄膜会破坏，使材料变坏等不足。

主权项

1、一种改性非晶SiGe薄膜的制备方法，其特征是首先在真空状态下采用电子束蒸发法制备α-SiGe薄膜，然后利用离子束注入方法对α-SiGe薄膜进行改性，注入的元素选取Co、H、B、Sb中的任一种，离子注入剂量控制在1×1015个/cm3～1×1017个/cm3范围。