一种集成于片上系统的CMOS 射频功率放大器

摘要

本发明提供一种集成于片上系统的CMOS射频功率放大器，所述功率放大器集成于片上系统SOC中，实现输出信号功率放大的功能；所述功率放大器包括偏置电路、第一级放大电路、第二级放大电路及输出匹配电路。本发明的功率放大器采用CMOS工艺实现，很好地集成到SOC芯片中，因此能够单芯片实现功率控制和脉宽调制（PWM）；与以往分立元件或者III‑V族化合物半导体实现的功率放大器相比，本发明的功率放大器具有双重功率可调，不需要单独的外部控制芯片，大大节省了应用系统的成本，更方便了系统的调试；并且本发明的功率放大器具有多频段输出功率可调，可以广泛运用在从10MHz到1GHz范围内的多种应用中。

主权项

一种集成于片上系统的CMOS射频功率放大器，其特征在于，至少包括：偏置电路、第一级放大电路及第二级放大电路，其中：所述偏置电路的电流输入端与片上系统中带隙基准电路产生的与绝对温度成正比电流连接，两个输出端分别与所述第一级放大电路的第一输入端及第二级放大电路的第一输入端连接，用于提供偏置电压；所述第一级放大电路的第二输入端与片上系统中的锁相环电路相连，用于输入射频信号；第三输入端与片上系统中的微控制单元的输出相连，用于输入脉宽调制信号；第四输入端与射频地连接；输出端与第二级放大电路的第二输入端及第一电感的第一端相连；所述第一电感的第二端连接电源；所述第二级放大电路的第三输入端与片上系统中的数模转换器相连，用于控制功率放大器的增益；第四输入端及第五输入端与片上系统的微控制单元相连，分别用于输入SWN信号和SWP信号，用于控制功率放大器增益控制方式；第六输入端与射频地连接；输出端与输出匹配电路的输入端及第二电感的第一端连接；所述第二电感的第二端连接电源。