| 发明名称 |
METHODS OF FABRICATING NITRIDE-BASED TRANSISTORS HAVING REGROWN OHMIC CONTACT REGIONS AND NITRIDE-BASED TRANSISTORS HAVING REGROWN OHMIC CONTACT REGIONS |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP1747589(A1) |
申请公布日期 |
2007.01.31 |
| 申请号 |
EP20050722846 |
申请日期 |
2005.02.09 |
| 申请人 |
CREE, INC. |
发明人 |
SAXLER, ADAM WILLIAM;SMITH, RICHARD PETER |
| 分类号 |
H01L29/778;H01L21/335;H01L29/20 |
主分类号 |
H01L29/778 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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