发明名称 一种氮和铟共掺杂制备空穴型氧化锌薄膜的方法
摘要 本发明涉及用喷雾热解法,通过氮和铟的共掺杂,制备空穴型氧化锌薄膜材料的方法。在本方法中,通过向先驱体溶液中添加适量的含氮和含铟掺杂剂,在不同的材料表面上,经超声雾化热解反应制备空穴型氧化锌薄膜Zn<SUP>2+</SUP>∶NH<SUP>4+</SUP>∶In<SUP>3+</SUP>=1∶(1-3)∶(0.05-0.2);所用衬底为单晶硅片、玻璃片或蓝宝石;衬底温度控制在400~600℃。通过控制先驱体溶液浓度及配比、衬底温度、成膜气氛及雾化气量可实现对空穴型氧化锌薄膜电学性能和载流子浓度的控制,以满足制备氧化锌半导体材料和氧化锌基发光二极管(LEDs),激光二极管(LDs)等光电子器件方面的需要。该法工艺简单易行,成本低廉。
申请公布号 CN1291453C 申请公布日期 2006.12.20
申请号 CN03151096.5 申请日期 2003.09.19
申请人 中国科学院上海硅酸盐研究所 发明人 边继明;李效民;高相东;于伟东
分类号 H01L21/205(2006.01);C23C16/40(2006.01) 主分类号 H01L21/205(2006.01)
代理机构 上海智信专利代理有限公司 代理人 潘振甦
主权项 1.一种氮和铟元素共掺杂制备p-型氧化锌薄膜的方法,其特征在于采用溶液喷雾热解法,其特征在于包括先驱体溶液的配制和氧化锌薄膜的沉积二个过程,先驱体溶液中Zn2+∶NH4+∶In3+=1∶1-3∶0.05-0.2,先驱体溶液经超声雾化,雾化后的气体经由气液分离管进入成膜室,在加热衬底表面热解沉积成p-型氧化锌薄膜,衬底温度控制在400-600℃,衬底可以选择单晶硅片、玻璃片或蓝宝石。
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