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Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement (10) mit einer integrierten Schaltung (12), die zumindest zwei übereinander angeordnete, durch zumindest eine Zwischenschicht (24, 26) voneinander beabstandete, bereichsweise elektrisch leitfähige Schichten (14, 16, 18) aufweist, wobei in einer ersten Schicht (14) Leiterbahnabschnitte (28) für die Bereitstellung eines ersten Spannungspotentials und in einer zweiten Schicht (16) Leiterbahnabschnitte (30) für die Bereitstellung eines zweiten Spannungspotentials vorgesehen sind, und mit zumindest einer mit einem Leiterbahnabschnitt (28) der ersten Schicht (14) und mit einem Leiterbahnabschnitt (30) der zweiten Schicht (16) elektrisch verbundenen Schutzdiode (36), die in einer unterhalb der ersten und der zweiten Schicht (14, 16) angeordneten Substratschicht (38) zum Abführen von Spannungsspitzen ausgebildet ist und die zumindest teilweise unmittelbar unterhalb eines Leiterbahnabschnittes angeordnet ist. Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass die elektrische Verbindung der Schutzdiode (36) mit dem Leiterbahnabschnitt (28) der ersten Schicht (14) als Durchkontaktierung (34) verwirklicht ist, die den Leiterbahnabschnitt (30) der zweiten Schicht (16) durchdringt. Verwendung für integrierte Schaltkreise. |
