发明名称 一种太阳能电池、太阳能电池的制备方法及装置
摘要 本发明实施例公开了一种太阳能电池、太阳能电池的制备方法及装置,太阳能电池包括:衬底、纳米线阵列、电介质、石墨烯、正电极和负电极;所述纳米线阵列生长在所述衬底上;所述电介质填充在所述纳米线阵列包含的纳米线周围,所述电介质的顶部不高于所述纳米线阵列的顶部;所述石墨烯覆盖在所述纳米线阵列和所述电介质的顶部;所述正电极沉积在所述石墨烯之上,且不完全覆盖所述石墨烯;所述负电极沉积在所述衬底的外部。应用本发明实施例,能够提高太阳能电池的转换效率。
申请公布号 CN105845768A 申请公布日期 2016.08.10
申请号 CN201610460603.9 申请日期 2016.06.22
申请人 北京邮电大学 发明人 颜鑫;张霞;吴瑶;芦启超;任晓敏
分类号 H01L31/07(2012.01)I;H01L31/0304(2006.01)I;H01L31/028(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I 主分类号 H01L31/07(2012.01)I
代理机构 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 代理人 项京;马敬
主权项 一种太阳能电池,其特征在于,所述太阳能电池包括:衬底、纳米线阵列、电介质、石墨烯、正电极和负电极;所述纳米线阵列生长在所述衬底上;所述电介质填充在所述纳米线阵列包含的纳米线周围,所述电介质的顶部不高于所述纳米线阵列的顶部;所述石墨烯覆盖在所述纳米线阵列和所述电介质的顶部;所述正电极沉积在所述石墨烯之上,且不完全覆盖所述石墨烯;所述负电极沉积在所述衬底的外部。
地址 100876 北京市海淀区西土城路10号