发明名称 |
一种太阳能电池、太阳能电池的制备方法及装置 |
摘要 |
本发明实施例公开了一种太阳能电池、太阳能电池的制备方法及装置,太阳能电池包括:衬底、纳米线阵列、电介质、石墨烯、正电极和负电极;所述纳米线阵列生长在所述衬底上;所述电介质填充在所述纳米线阵列包含的纳米线周围,所述电介质的顶部不高于所述纳米线阵列的顶部;所述石墨烯覆盖在所述纳米线阵列和所述电介质的顶部;所述正电极沉积在所述石墨烯之上,且不完全覆盖所述石墨烯;所述负电极沉积在所述衬底的外部。应用本发明实施例,能够提高太阳能电池的转换效率。 |
申请公布号 |
CN105845768A |
申请公布日期 |
2016.08.10 |
申请号 |
CN201610460603.9 |
申请日期 |
2016.06.22 |
申请人 |
北京邮电大学 |
发明人 |
颜鑫;张霞;吴瑶;芦启超;任晓敏 |
分类号 |
H01L31/07(2012.01)I;H01L31/0304(2006.01)I;H01L31/028(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I |
主分类号 |
H01L31/07(2012.01)I |
代理机构 |
北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 |
代理人 |
项京;马敬 |
主权项 |
一种太阳能电池,其特征在于,所述太阳能电池包括:衬底、纳米线阵列、电介质、石墨烯、正电极和负电极;所述纳米线阵列生长在所述衬底上;所述电介质填充在所述纳米线阵列包含的纳米线周围,所述电介质的顶部不高于所述纳米线阵列的顶部;所述石墨烯覆盖在所述纳米线阵列和所述电介质的顶部;所述正电极沉积在所述石墨烯之上,且不完全覆盖所述石墨烯;所述负电极沉积在所述衬底的外部。 |
地址 |
100876 北京市海淀区西土城路10号 |