| 发明名称 | 陶瓷构件、探针支架及陶瓷构件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种作为包含顽辉石和氮化硼作为构成充分且氮化硼单向地取向的烧结体的陶瓷构件、使用陶瓷构件而形成的探针支架及陶瓷构件的制造方法。陶瓷构件的取向度指数为0.8以上。由此，能够提供一种具有易切削性、接近硅的热膨胀系数及高强度的陶瓷构件、使用该陶瓷构件而形成的探针支架及陶瓷构件的制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN102985390B | 申请公布日期 | 2016.11.02 |
| 申请号 | CN201180033843.6 | 申请日期 | 2011.07.13 |
| 申请人 | 日本发条株式会社 | 发明人 | 中村圣;铃木恒平;宫地真也;斋藤慎二 |
| 分类号 | G01R1/067(2006.01)I;C04B35/583(2006.01)I;C04B35/20(2006.01)I;G01R1/073(2006.01)I | 主分类号 | G01R1/067(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 王刚 |
| 主权项 | 一种陶瓷构件，其特征在于，所述陶瓷构件是以顽辉石和氮化硼为主要成分组成且所述氮化硼单向地取向的烧结体，与所述氮化硼取向的方向平行的方向上的20℃～250℃下的基于JISR1618测定出的热膨胀系数为(3～5)×10<sup>‑6</sup>/℃，基于从与所述氮化硼的取向方向正交的方向照射X射线时的沿着所述氮化硼的结晶的(002)面的X射线衍射的强度I<sub>(002)</sub>与沿着所述氮化硼的结晶的(100)面的X射线衍射的强度I<sub>(100)</sub>之比(I<sub>(100)</sub>/I<sub>(002)</sub>)//、以及从所述取向方向照射X射线时的沿着(002)面的X射线衍射的强度I<sub>(002)</sub>与沿着(100)面的X射线衍射的强度I<sub>(100)</sub>之比(I<sub>(100)</sub>/I<sub>(002)</sub>)⊥而赋予的取向度指数K＝|log<sub>10</sub>{(I<sub>(100)</sub>/I<sub>(002)</sub>)///(I<sub>(100)</sub>/I<sub>(002)</sub>)⊥}|，该取向度指数K为0.8以上。 | ||
| 地址 | 日本国神奈川县 | ||