| 发明名称 | 半导体晶片、其制造方法以及制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体晶片中包括：在半导体衬底的前表面上形成的多个元件形成区，沿着每个元件形成区的周边形成的划线沟槽，以及位于划线沟槽的交叉点的阻止物，以阻塞划线沟槽。 | ||
| 申请公布号 | CN100355035C | 申请公布日期 | 2007.12.12 |
| 申请号 | CN200510008371.5 | 申请日期 | 2005.02.22 |
| 申请人 | 恩益禧电子股份有限公司 | 发明人 | 大沼学 |
| 分类号 | H01L21/302(2006.01) | 主分类号 | H01L21/302(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 穆德骏;陆弋 |
| 主权项 | 1.一种半导体晶片，包括：半导体衬底；在所述半导体衬底的前表面上形成的多个元件形成区；沿着每个所述元件形成区的周边以栅格图形形成划线沟槽；和在所述划线沟槽中有选择地位于所述划线沟槽的交叉区的阻止物，以阻塞所述划线沟槽并且把所述划线沟槽分隔成多个沟槽。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||