| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft einen Feldeffekttransistor mit mindestens einer Source-Elektrodenschicht und mindestens einer in gleicher Ebene angeordneten Drain-Elektrodenschicht, einer Halbleiterschicht, einer Isolatorschicht sowie einer Gate-Elektrodenschicht, wobei die Gate-Elektrodenschicht, senkrecht zur Ebene der mindestens einen Source-Elektrodenschicht und der mindestens einen Drain-Elektrodenschicht gesehen, einen zwischen der mindestens einen Source-Elektrodenschicht und der mindestens einen Drain-Elektrodenschicht angeordneten Kanal nur teilweise bedeckt.</p> |
