发明名称 |
发光二极管外延片电致发光无损检测方法 |
摘要 |
一种发光二极管外延片的检测方法,属检测仪器领域。本发明是在发光二极管外延片的p型层的表面上同时安置正负两个电极,将一个高压恒流源接在正负两极,使发光二极管外延片中的p型层、n型层组成的二极管被击穿导通,使整个电路导通,引发发光二极管外延片的发光层发光,从而达到检测的目的,所述发光层位于p型层和n型层中间,所述负电极固定于p型层表面,正电极可在p型层表面移动。这种测量方法直接、无损、便捷,相对于光致荧光而言还可以得到正向导通电压、反向漏电流等对于LED外延片而言非常重要的电学参数。 |
申请公布号 |
CN100418203C |
申请公布日期 |
2008.09.10 |
申请号 |
CN02123646.1 |
申请日期 |
2002.07.05 |
申请人 |
清华大学 |
发明人 |
韩立;董占民;苏哲;陈皓明 |
分类号 |
H01L21/66(2006.01);G01R31/26(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/66(2006.01) |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
1. 一种发光二极管外延片的检测方法,其特征是在发光二极管外延片的p型层的表面上同时安置正负两个电极,将一个高压恒流源接在正负两极,使发光二极管外延片中的p型层、n型层组成的二极管被击穿导通,使整个电路导通,引发发光二极管外延片的发光层发光,从而达到检测的目的,所述发光层位于p型层和n型层中间,所述负电极固定于p型层表面,正电极可在p型层表面移动。 |
地址 |
100084北京市100084-82信箱 |