发明名称 发光二极管外延片电致发光无损检测方法
摘要 一种发光二极管外延片的检测方法,属检测仪器领域。本发明是在发光二极管外延片的p型层的表面上同时安置正负两个电极,将一个高压恒流源接在正负两极,使发光二极管外延片中的p型层、n型层组成的二极管被击穿导通,使整个电路导通,引发发光二极管外延片的发光层发光,从而达到检测的目的,所述发光层位于p型层和n型层中间,所述负电极固定于p型层表面,正电极可在p型层表面移动。这种测量方法直接、无损、便捷,相对于光致荧光而言还可以得到正向导通电压、反向漏电流等对于LED外延片而言非常重要的电学参数。
申请公布号 CN100418203C 申请公布日期 2008.09.10
申请号 CN02123646.1 申请日期 2002.07.05
申请人 清华大学 发明人 韩立;董占民;苏哲;陈皓明
分类号 H01L21/66(2006.01);G01R31/26(2006.01) 主分类号 H01L21/66(2006.01)
代理机构 代理人
主权项 1. 一种发光二极管外延片的检测方法,其特征是在发光二极管外延片的p型层的表面上同时安置正负两个电极,将一个高压恒流源接在正负两极,使发光二极管外延片中的p型层、n型层组成的二极管被击穿导通,使整个电路导通,引发发光二极管外延片的发光层发光,从而达到检测的目的,所述发光层位于p型层和n型层中间,所述负电极固定于p型层表面,正电极可在p型层表面移动。
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