| 发明名称 | 具有大磁电阻效应的CoFeB/SiO<sub>2</sub>/n-Si异质结构及制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种具有大磁电阻效应的CoFeB/SiO<sub>2</sub>/n‑Si异质结构及制备方法。在室温条件下，以Si为基底，溅射电流为0.02A，溅射电压为975V，CoFeB薄膜的厚度为160nm时，CoFeB/SiO<sub>2</sub>/n‑Si异质结构具有大的磁电阻效应。Si基底晶格排列有序，CoFeB薄膜晶格排列无序，SiO<sub>2</sub>层厚度为2.5nm，界面两侧干净尖锐；电阻随温度的升高呈现先减小后增大的趋势；在200K温度和50kOe磁场下，磁电阻高达2300％。本发明所采用的磁控溅射法，与分子束外延法和化学方法相比，在工业化生产上具有明显优势。 | ||
| 申请公布号 | CN105845314A | 申请公布日期 | 2016.08.10 |
| 申请号 | CN201610279012.1 | 申请日期 | 2016.04.27 |
| 申请人 | 天津大学 | 发明人 | 米文博;张岩 |
| 分类号 | H01F10/16(2006.01)I;H01F41/18(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C14/16(2006.01)I | 主分类号 | H01F10/16(2006.01)I |
| 代理机构 | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人 | 王丽 |
| 主权项 | 一种具有大磁电阻效应的CoFeB/SiO<sub>2</sub>/n‑Si异质结构。 | ||
| 地址 | 300072 天津市南开区卫津路92号天津大学 | ||