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Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von Silizium in einem CVD-Prozess, bei dem das in der Prozesskammer (1) befindliche Gas im oberen Bereich der Prozesskammer (1) gekühlt wird, und eine Vorrichtung zum Herstellen von Silizium mit mindestens einer evakuierbaren Prozesskammer (1), mindestens einem in der Prozesskammer (1) angeordneten Abscheidekörper (2) und mindestens einer Heizeinrichtung zum Erhitzen des mindestens einen Abscheidekörpers (2) auf eine Temperatur, bei der sich Silizium aus einem silanhaltigen Gas auf dem mindestens einen Abscheidekörper (2) abscheiden kann, wobei im oberen Bereich der Prozesskammer (1) eine Kühleinrichtung (4) angeordnet ist. |
