| 摘要 |
1. Способ изготовления полупроводниковых светоизлучающих элементов методом хлоридно-гидридной эпитаксии, включающий подачу смеси инертного газа и хлористого водорода в, по крайней мере, две трубки подачи реагентов, расположенных параллельно оси реактора, в каждой из которых размещен источник одного из металлов третьей группы, с последующей подачей в рабочую зону вдоль оси реактора химически активных газов, каждый из которых содержит один из металлов третьей группы, и подачу в рабочую зону аммиака параллельно направлению подачи химически активных газов, а также перемещение подложки из зоны приостановки роста в рабочую зону реактора и обратно, отличающийся тем, что перед началом осаждения первого слоя в рабочую зону подают одновременно поток химически активного газа, содержащего галлий, и поток аммиака, затем подают инертный газ и хлористый водород в, по крайней мере, две трубки с источниками металлов третьей группы с расходами, требуемыми для получения первого слоя нитрида с заданным количественным соотношением металлов третьей группы, подают в рабочую зону, по крайней мере, два потока химически активных газов, каждый из которых содержит один из металлов третьей группы, при этом аммиак подают одновременно параллельно направлению подачи химически активных газов и со стороны, противоположной направлению подачи газовых потоков, содержащих металлы третьей группы, сверху вниз по отношению к поверхности подложки, перемещают предварительно нагретую до рабочей температуры подложку из зоны приостановки роста в рабочую зону, выдерживают подложку в рабочей зоне в течение времени, необходимого для получения сл� |
