| 发明名称 | 用于半导体制造的感光膜清洗液 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种新型光刻胶去除液，其包括季戊四醇、氢氧化钾、有机胺、防腐蚀剂和溶剂。本发明提供的新型光刻胶去除液感光膜清洗能力强且对半导体晶片图案和基材腐蚀性较低。 | ||
| 申请公布号 | CN103605269B | 申请公布日期 | 2016.11.23 |
| 申请号 | CN201310513408.4 | 申请日期 | 2013.10.25 |
| 申请人 | 马佳 | 发明人 | 孙霞 |
| 分类号 | G03F7/42(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/42(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人 | 汤东凤 |
| 主权项 | 一种感光膜清洗液，其特征在于：包括季戊四醇、氢氧化钾、有机胺、防腐蚀剂和溶剂；所述防腐蚀剂由式2所示的O’,O’‑二苯基二硫代磷酸‑N,N‑二乙胺和式1所示的硫脲基羊蜡酸咪唑啉季铵盐构成，两者的质量比为1:1～1:2，<img file="FDA0001020492740000011.GIF" wi="806" he="278" /><img file="FDA0001020492740000012.GIF" wi="646" he="227" />季戊四醇的质量百分比为0.1‑15％，氢氧化钾的质量百分比为0.1‑10％，有机胺的质量百分比为0.5‑30％，防腐蚀剂0.5‑5％，溶剂为余量，各组分质量百分比之和为100％。 | ||
| 地址 | 266000 山东省青岛市市北区敦化路53号2号楼2单元401室 | ||