四导线磁随机存取存储器单元的系统和方法及解码方案

摘要

一种四导线MRAM装置，它包括：存储单元阵列，每个存储单元包括第一磁性层104、介质106和第二磁性层105；多条局部列读出线302，其中一条局部列读出线电气上连接到存储单元阵列的第一磁性层104；多条局部行读出线303，其中局部读出线303中的一条电气上连接到存储单元阵列的第二磁性层105；多条全局列写入线301，它们平行于所述多条局部列读出线302；多条全局行写入线304，它们平行于所述多条局部列读出线303，而且其中多条局部列读出线302和多条局部行读出线303连接，以便从存储单元阵列读取数据，而且多条全局列写入线301和多条全局行写入线304连接、以便把数据写入存储单元阵列。

主权项

1.一种四导线MRAM装置，它包括：存储单元阵列，每个所述存储单元包括第一磁性层104、介质106和第二磁性层105；多条局部列读出线302，其中一条在电气上连接到所述存储单元阵列的所述第一磁性层104；多条局部行读出线303，其中所述局部读出线中的一条在电气上连接到所述存储单元阵列的所述第二磁性层105；多条全局列写入线301，它们平行于所述多条局部列读出线302，多条全局行写入线304，它们平行于所述多条局部列读出线303，以及其中(i)所述多条局部列读出线302和所述多条局部行读出线303连接、以便从所述存储单元阵列读取数据，并且(ii)所述多条全局列写入线301和所述多条全局行写入线304连接、以便把数据写入所述存储单元阵列。