| 发明名称 | 一种Cu基阻变存储器的制备方法及存储器 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种Cu基阻变存储器的制备方法及存储器，该制备方法包括：对铜下电极构图化合处理生成化合物缓冲层，所述化合物缓冲层能够阻止所述铜下电极被氧化；在所述化合物缓冲层上沉积固态电解液材料；在所述固态电解液材料上沉积上电极形成存储器。在上述技术方案中，通过在铜下电极与固态电解液材料之间插入能够阻止铜下电极被氧化的化合物缓冲层，以有效避免固态电解液材料生长时对铜下电极的氧化，使电极界面不会因为氧化而变粗糙，从而解决现有技术中Cu基阻变存储器因电极界面粗糙导致的器件可靠性和良率较低的技术问题，进而提高器件的可靠性和良率。 | ||
| 申请公布号 | CN105789439A | 申请公布日期 | 2016.07.20 |
| 申请号 | CN201610258342.2 | 申请日期 | 2016.04.22 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 吕杭炳;刘明;刘琦;龙世兵 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人 | 房德权 |
| 主权项 | 一种Cu基阻变存储器的制备方法，其特征在于，所述方法包括：对铜下电极构图化合处理生成化合物缓冲层，所述化合物缓冲层能够阻止所述铜下电极被氧化；在所述化合物缓冲层上沉积固态电解液材料；在所述固态电解液材料上沉积上电极形成存储器。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||