| 发明名称 | 包括金属化层的器件和制造器件的方法 | ||
| 摘要 | 本公开的实施方式涉及包括金属化层的器件和制造器件的方法。该器件包括基部元件和在基部元件之上的金属化层。金属化层包括孔隙并且具有变化的孔隙度，孔隙度在与基部元件相邻的部分中比在远离基部元件的部分中高。 | ||
| 申请公布号 | CN105845662A | 申请公布日期 | 2016.08.10 |
| 申请号 | CN201610060149.8 | 申请日期 | 2016.01.28 |
| 申请人 | 英飞凌科技股份有限公司 | 发明人 | M·米希兹;M·海恩里希;S·施瓦布 |
| 分类号 | H01L23/522(2006.01)I;H01L23/532(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/522(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 郑立柱;吕世磊 |
| 主权项 | 一种器件，包括：基部元件；和在所述基部元件之上的金属化层，所述金属化层包括孔隙并且具有变化的孔隙度，所述孔隙度在与所述基部元件相邻的部分中比在远离所述基部元件的部分中高。 | ||
| 地址 | 德国诺伊比贝尔格 | ||