光电转换装置的制造方法

摘要

本发明涉及制造结晶硅系光电转换装置的方法。本发明的结晶硅系光电转换装置在一导电类型单晶硅基板的一个面上依次具有一导电类型层侧本征硅系层和一导电类型硅系层，在上述一导电类型单晶硅基板的另一个面上依次具有相反导电类型层侧本征硅系层和相反导电类型硅系层。在本发明中，上述一导电类型层侧本征硅系层的形成工序、和上述相反导电类型层侧本征硅系层的形成工序中的至少一者依次具有采用等离子体CVD法在上述一导电类型单晶硅基板上形成具有1nm～10nm膜厚的第1本征硅系薄膜层的工序、在以氢为主成分的气体气氛中进行等离子体处理的工序、采用等离子体CVD法在上述第1本征硅系薄膜层上形成第2本征硅系薄膜层的工序。

主权项

一种结晶硅系光电转换装置的制造方法，是制造以下结晶硅系光电转换装置的方法，即，所述结晶硅系光电转换装置在一导电类型单晶硅基板的一个面上依次具有一导电类型层侧本征硅系层和一导电类型硅系层，在所述一导电类型单晶硅基板的另一个面上依次具有相反导电类型层侧本征硅系层和相反导电类型硅系层，所述一导电类型层侧本征硅系层的形成工序、和所述相反导电类型层侧本征硅系层的形成工序中的至少一者依次具有下述工序：在所述一导电类型单晶硅基板上形成具有1nm～10nm膜厚的第1本征硅系薄膜层的工序，所述第1本征硅系薄膜层与所述一导电类型单晶硅基板相接，在以氢为主成分的气体气氛中进行等离子体处理的工序，在所述第1本征硅系薄膜层上形成第2本征硅系薄膜层的工序，所述第1本征硅系薄膜层的膜厚与所述第2本征硅系薄膜层的膜厚的合计为16nm以下。