一种曝光条件检测方法及系统

摘要

本发明提供了一种曝光条件检测方法，通过CDSEM设备扫描获取晶圆上光刻胶的图案阵列的图案，并获取所扫描图案的坐标；再将坐标格式转换为缺陷扫描仪能够识别的格式；以所扫描图案的坐标为中心扩展成为电子区，通过设定电子区的缺陷阈值高于背景区的缺陷阈值，来使得后续缺陷扫描仪检测出的电子区的扫描缺陷值低于电子去的缺陷阈值，避免经CDSEM设备扫描的电子区对缺陷扫描仪的缺陷扫描的重复误报，提高了缺陷扫描效率。

主权项

一种曝光条件检测方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤01：提供一晶圆；其中，在晶圆上形成有光刻胶，采用聚焦曝光阵列方式对晶圆上的光刻胶进行了曝光，在光刻胶中形成有图案阵列；步骤02：采用CDSEM设备扫描所述光刻胶中的图案阵列中的图案，并且获取所扫描的图案的坐标；步骤03：转换所扫描的图案的坐标的格式，使其能够被缺陷扫描设备识别，并且发送给所述缺陷扫描设备；步骤04：以转换后的坐标为中心扩展得到一个电子区；其中，所述图案阵列中的每个阵列为一个背景区，所述电子区位于所述背景区中；步骤05：在缺陷扫描程式中，设定背景区的缺陷阈值，并且设定电子区的缺陷阈值高于所述背景区的缺陷阈值；步骤06：采用缺陷扫描设备对晶圆进行扫描，得到所述电子区的扫描缺陷值和所述背景区的扫描缺陷值；比较所述背景区的扫描缺陷值与所述背景区的缺陷阈值，根据比较结果判断所述背景区是否异常；其中，所述电子区的扫描缺陷值低于所述电子区的缺陷阈值，所述缺陷扫描设备认为所述电子区为正常的。