| 发明名称 | 半导体结构以及制备半导体结构的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出了半导体结构以及制备半导体结构的方法。具体地，该方法包括：(1)提供衬底；(2)在所述衬底上表面设置石墨烯层；以及(3)在所述石墨烯层的上表面形成半导体层，所述半导体层具有晶体择优取向。由此，可以降低制备成本，简化制备工艺，并获得具有晶体择优取向的半导体层。石墨烯层以及适当的溅射条件能够诱导半导体层形成晶体的择优取向，使得利用该半导体层制备的半导体器件具有良好的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN106024584A | 申请公布日期 | 2016.10.12 |
| 申请号 | CN201610365952.2 | 申请日期 | 2016.05.27 |
| 申请人 | 清华大学 | 发明人 | 王敬;肖磊;王子巍;梁仁荣 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人 | 李志东 |
| 主权项 | 一种制备半导体结构的方法，其特征在于，包括：(1)提供衬底；(2)在所述衬底上表面设置石墨烯层；以及(3)在所述石墨烯层的上表面形成半导体层，所述半导体层具有晶体择优取向。 | ||
| 地址 | 100084 北京市海淀区100084-82信箱 | ||