非易失性半导体存储器件

摘要

本发明提供一种非易失性半导体存储器件，能够防止由写入和擦除时的干扰引起的非选择单元的数据损失。在上述非易失性半导体存储器件中，将在比非易失性存储器的改写单位还大的数据存储块内执行的改写的次数，存储在每个数据存储块中所设置的擦除/写入计数器EW CT10中，当擦除/写入计数器EW CT10的值大于或等于预先指定的次数时，对与该擦除/写入计数器对应的数据存储块执行刷新操作。通过将数据存储块内的数据暂时保存在数据暂存区域(8)中，将数据存储区域暂存区域的数据擦除，并再次将暂时保存的数据写入数据存储块中，进行刷新操作。

主权项

1.一种非易失性半导体存储器件，其特征在于：在包括非易失性存储单元的非易失性半导体存储器阵列中，具有一并擦除多个上述非易失性存储单元的擦除块，以及包含多个上述擦除块的刷新块；设置与上述刷新块数量相同的计数区，该计数区存储在上述刷新块内进行的改写的次数，每当上述计数区所存储的刷新块内的改写次数达到预先指定的改写次数时，将上述刷新块内的数据保存在另外设置的数据暂存存储器，之后，将上述刷新块内的数据全部擦除，并将上述暂存存储器中保存的数据写入上述刷新块。