雷文生相转移掩模及其制备方法与制备半导体元件的方法

摘要

本发明的雷文生相转移掩模的制备方法首先形成一金属层于一基板上，再利用微影及蚀刻工艺形成多个开口于该金属层中。之后，利用旋转涂布工艺形成一高分子层于该基板上，并利用一电子束照射该高分子层的一预定区域以形成一相转移图案，再去除未被该电子束照射的高分子层。该高分子层可由氢硅酸盐、甲基硅酸盐或混成有机硅烷高分子构成，而去除未被该电子束照射的高分子层可利用一碱性溶液、醇类溶液或乙酸丙酯溶液进行显影工艺，其中该碱性溶液系选自氢氧化钠溶液、氢氧化钾溶液及四甲基氢氧化铵溶液构成的组。

主权项

1.一种雷文生相转移掩模，包含：一基板；一金属层，设置于该基板上，该金属层具有多个开口；以及一相转移图案，设置该基板上，该相转移图案包含一高分子材料。